तापमान वाढल्यामुळे ट्रान्झिस्टरच्या बेस एमिटर व्होल्टेजचे काय होते?

स्पष्टीकरण;

NPN आणि PNP ट्रान्झिस्टरची योजनाबद्धता 

बेस एमिटर व्होल्टेज म्हणजे डायोडवर व्होल्टेज कमी होणे.

स्पष्टीकरणासाठी आपण येथे NPN कॉन्फिगरेशनचा विचार करत आहोत.

निज संहतिची व्याख्या खालीलप्रमाणे आहे:

\(n_i^2 = \frac{{{A_0}{T^3}{e^{ - \frac{{{E_G}_0}}{{kT}}}}}}{{{{\left( {c{m^3}} \right)}^2}}}\)

\({A_0} = 2.33 \times {10^{31}}{\left[ {\frac{{{m_n}{m_p}}}{{{m^2}}}} \right]^{\frac{3}{2}}}{e^{\frac{\beta }{k}}}\)

\(n_i^2 \propto {T^3}\)

डायोडचे बांध विभव असे परिभाषित केले जाते:

\({V_0} = \frac{{kT}}{q}\ln \left( {\frac{{{N_A}{N_D}}}{{n_i^2}}} \right)\)

\({V_0} \propto \frac{1}{{n_i^2}} \Rightarrow {V_0} \propto \frac{1}{{{T^3}}}\)

तापमानानुसार डायोड वैशिष्ट्यांमधील फरक आहे:

• सामान्यतः, जेव्हा सेमीकंडक्टर उपकरणे गरम केली जातात तेव्हा प्रभारित वाहकांची हालचाल होते, कारण हे प्रभार वाहक सहसंयोजक बंधनातून मुक्त होतात.
• प्रभार वाहक आधीपासून चालत असलेल्या प्रभार वाहकांना जोडतात आणि त्यांच्याशी संरेखित करतात, म्हणजे, त्यांच्याकडे हलविण्यासाठी अधिक ऊर्जा असते, ही ऊर्जा कंडक्शन बँड आणि व्हॅलेन्सी बँड अंतर कमी करते.
• त्यामुळे फॉरवर्ड-व्होल्टेजमध्ये घट. सामान्यतः, तापमानात प्रत्येक अंश वाढीसाठी, फॉरवर्ड बायस व्होल्टेजमध्ये 2.5 mV कमी होते.
• जसजसे तापमान वाढते तसतसे बेस-एमिटर व्होल्टेज कमी होईल.

टीप:

Ge ट्रान्झिस्टरमध्ये VBE तापमानात 2.1 mV/°C वाढीने कमी होते

\(\frac{{d{V_{BE}}}}{{dT}} = - 2.1mV/^\circ C\)

Si ट्रान्झिस्टरमध्ये VBE तापमानात 2.3 mV/°C वाढीने कमी होते

\(\frac{{d{V_{BE}}}}{{dT}} = - 2.3mV/^\circ C\)

सर्वसाधारणपणे VBE तापमानात 2.5 mV/°C वाढीने कमी होते.

\(\frac{{d{V_{BE}}}}{{dT}} = - 2.5mV/^\circ C\)