MOSFET MCQ Quiz in मराठी - Objective Question with Answer for MOSFET - मोफत PDF डाउनलोड करा

मेटल ऑक्साइड सिलिकॉन फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET)

• हे एक विद्युदाब-नियंत्रित तीन-टर्मिनल उपकरण आहे जे स्विचिंग आणि प्रवर्धन हेतूंसाठी वापरले जाते.
• टर्मिनल्स ड्रेन, गेट आणि स्त्रोत आहेत.
• MOSFET दोन वर्गांचे आहेत: एन्हांसमेंट मोड आणि डिप्लेशन मोड. प्रत्येक वर्ग एन-चॅनेल किंवा P-चॅनेल म्हणून उपलब्ध आहे.
• गेटवरील विद्युदाब MOSFET चे ऑपरेशन नियंत्रित करते. या प्रकरणात, गेटवर धनात्मक आणि ऋणात्मक दोन्ही व्होल्टेज लागू केले जाऊ शकतात कारण ते चॅनेलमधून इन्सुलेटेड आहे.
• ऋणात्मक गेट बायस विद्युदाबासह, ते कमी MOSFET म्हणून कार्य करते तर धनात्मक गेट बायस विद्युदाबासह, ते एन्हांसमेंट MOSFET म्हणून कार्य करते.
• MOSFET मध्ये सामान्य ड्रेन संरचनेमध्ये उच्च इनपुट प्रतिरोध आणि कमी आउटपुट प्रतिरोध आहे.

MOSFET:

MOSFET एक विद्युत दाब -नियंत्रित क्षेत्र प्रभाव प्रेषरोधक आहे.

यात "धातू ऑक्साइड" गेट इलेक्ट्रोड आहे जो मुख्य अर्धवाहक N-चॅनेल किंवा P-चॅनेलमधून सामान्यतः सिलिकॉन डायऑक्साइड (SiO2 ), ज्याला सामान्यतः काच म्हणून ओळखले जाते, निरोधित सामग्रीच्या अत्यंत पातळ थराने विद्युतीयरित्या निरोधित केले जाते.

निरोधित SiO2 स्तर उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रदान करते.

MOSFET दोन प्रकारचे आहे:

संकुचित प्रकार (D-MOSFET):

• स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान भौतिक स्तराची उपस्थिती.
• आपण स्त्रोत आणि गेट दरम्यान धनात्मक आणि ऋणात्मक दोन्ही लागू करू शकतो.

वर्धन प्रकार (e-MOSFET):

• स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान भौतिक स्तराची अनुपस्थिती
• गेट आणि स्त्रोत यांच्यामध्ये फक्त एक प्रकारचे ध्रुवीय विद्युत दाब जसे की भौतिक स्तर तयार झाला पाहिजे.

MOSFET चे चिन्ह प्रतिनिधित्व:

CMOS:

• CMOS म्हणजे “कॉम्प्लीमेंटरी मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर (कॉम्प्लीमेंटरी MOSFET)” असा अर्थ होतो.
• हे संगणक चिप डिझाइन उद्योगातील सर्वात लोकप्रिय तंत्रज्ञानांपैकी एक आहे आणि विविध अनुप्रयोगांमध्ये एकात्मित सर्किट तयार करण्यासाठी व्यापकपणे वापरले जाते.
• काही महत्त्वाच्या फायद्यांमुळे आजच्या संगणक मेमरी, CPU आणि सेल फोन या तंत्रज्ञानाचा वापर करतात.
• हे तंत्रज्ञान P चॅनेल आणि N चॅनेल दोन्ही सेमीकंडक्टर उपकरणांचा वापर करते.
• आज उपलब्ध असलेल्या सर्वात लोकप्रिय MOSFET तंत्रज्ञानांपैकी एक म्हणजे कॉम्प्लीमेंटरी MOS किंवा CMOS तंत्रज्ञान.
• हे मायक्रोप्रोसेसर, मायक्रोकंट्रोलर चिप्स, RAM, ROM, EEPROM सारख्या मेमरी आणि अनुप्रयोग-विशिष्ट एकात्मित सर्किट (ASICs) साठी प्रमुख सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान आहे.

CMOS लॉजिक गेट्सचे फायदे:​

1. अतिशय मोठी फॅन-आउट क्षमता (>50).
2. सर्व गेट्समधील सर्वात कमी पॉवर डिस्पेर्शन (काही nW).
3. खूप उच्च नॉइज-इम्युनिटी आणि नॉइज-मार्जिन (सामान्यतः, VDD/2).
4. NMOS पेक्षा कमी प्रोपेगेशन विलंब.
5. NMOS पेक्षा जास्त वेग. सध्या, 4 GHz (किंवा त्यापेक्षा जास्त) वर काम करणारे संगणक चिप्स खुले बाजारपेठेत उपलब्ध आहेत.
6. मोठा लॉजिक स्विंग (=VDD).
7. केवळ एकच पॉवर पुरवठा (+ VDD) आवश्यक आहे.
8. TTL गेट्सशी थेट सुसंगत.
9. तापमान स्थिरता उत्कृष्ट आहे.
10. कमी-व्होल्टेज (1.5 V) चिप्स आता उपलब्ध आहेत.

CMOS लॉजिक गेट्सचे तोटे:

1. अतिरिक्त प्रक्रिया पायऱ्यांमुळे वाढलेला खर्च. परंतु, हे सुधारले जात आहे.
2. NMOS पेक्षा कमी पॅकिंग घनता. पास-ट्रान्झिस्टर लॉजिक स्ट्रक्चर वापरून, NMOS गेटच्या तुलनेत किंवा त्यापेक्षा जास्त पॅकिंग घनता शक्य आहे.
3. लीड्स शॉर्ट ठेवून MOS चिप्सला स्थिर चार्जेस मिळण्यापासून संरक्षण करणे आवश्यक आहे. लीड्समध्ये मिळालेले स्थिर चार्जेस चिप नष्ट करतील. सध्या ही समस्या अंतर्निर्मित संरक्षणात्मक उपकरणे किंवा सर्किट वापरून सुधारली गेली आहे.
4. CMOS लॉजिक कुटुंबाचा मुख्य तोटा म्हणजे त्यांचा ऑपरेशनचा कमी वेग.
5. CMOS कुटुंबासाठी प्रोपेगेशन विलंब वेळ सुमारे 50ns असल्याचे आढळले आहे तर TTL लॉजिक कुटुंबासाठी तो सुमारे 4 ते 12 ns आहे.

• N-चॅनेल डिव्हाइसच्या बाबतीत वाहक असलेल्या इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता छिद्रांपेक्षा जास्त असते, जे P-चॅनेल डिव्हाइसमधील वाहक असतात.
• अशा प्रकारे N-चॅनेल डिव्हाइस P-चॅनेल डिव्हाइसपेक्षा वेगवान असते.
• N-चॅनेल ट्रान्झिस्टरमध्ये समान डाय क्षेत्रासाठी कमी ऑन-रेझिस्टन्स आणि गेट कपॅसिटन्स आहे.

• N-चॅनेल डिव्हाइसच्या बाबतीत वाहक असलेल्या इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता छिद्रांपेक्षा जास्त असते, जे P-चॅनेल डिव्हाइसमधील वाहक असतात.
• अशा प्रकारे N-चॅनेल डिव्हाइस P-चॅनेल डिव्हाइसपेक्षा वेगवान असते.
• N-चॅनेल ट्रान्झिस्टरमध्ये समान डाय क्षेत्रासाठी कमी ऑन-रेझिस्टन्स आणि गेट कपॅसिटन्स आहे.

मेटल ऑक्साइड सिलिकॉन फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET)

• हे एक विद्युदाब-नियंत्रित तीन-टर्मिनल उपकरण आहे जे स्विचिंग आणि प्रवर्धन हेतूंसाठी वापरले जाते.
• टर्मिनल्स ड्रेन, गेट आणि स्त्रोत आहेत.
• MOSFET दोन वर्गांचे आहेत: एन्हांसमेंट मोड आणि डिप्लेशन मोड. प्रत्येक वर्ग एन-चॅनेल किंवा P-चॅनेल म्हणून उपलब्ध आहे.
• गेटवरील विद्युदाब MOSFET चे ऑपरेशन नियंत्रित करते. या प्रकरणात, गेटवर धनात्मक आणि ऋणात्मक दोन्ही व्होल्टेज लागू केले जाऊ शकतात कारण ते चॅनेलमधून इन्सुलेटेड आहे.
• ऋणात्मक गेट बायस विद्युदाबासह, ते कमी MOSFET म्हणून कार्य करते तर धनात्मक गेट बायस विद्युदाबासह, ते एन्हांसमेंट MOSFET म्हणून कार्य करते.
• MOSFET मध्ये सामान्य ड्रेन संरचनेमध्ये उच्च इनपुट प्रतिरोध आणि कमी आउटपुट प्रतिरोध आहे.

MOSFET:

MOSFET एक विद्युत दाब -नियंत्रित क्षेत्र प्रभाव प्रेषरोधक आहे.

यात "धातू ऑक्साइड" गेट इलेक्ट्रोड आहे जो मुख्य अर्धवाहक N-चॅनेल किंवा P-चॅनेलमधून सामान्यतः सिलिकॉन डायऑक्साइड (SiO2 ), ज्याला सामान्यतः काच म्हणून ओळखले जाते, निरोधित सामग्रीच्या अत्यंत पातळ थराने विद्युतीयरित्या निरोधित केले जाते.

निरोधित SiO2 स्तर उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रदान करते.

MOSFET दोन प्रकारचे आहे:

संकुचित प्रकार (D-MOSFET):

• स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान भौतिक स्तराची उपस्थिती.
• आपण स्त्रोत आणि गेट दरम्यान धनात्मक आणि ऋणात्मक दोन्ही लागू करू शकतो.

वर्धन प्रकार (e-MOSFET):

• स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान भौतिक स्तराची अनुपस्थिती
• गेट आणि स्त्रोत यांच्यामध्ये फक्त एक प्रकारचे ध्रुवीय विद्युत दाब जसे की भौतिक स्तर तयार झाला पाहिजे.

MOSFET चे चिन्ह प्रतिनिधित्व:

CMOS:

• CMOS म्हणजे “कॉम्प्लीमेंटरी मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर (कॉम्प्लीमेंटरी MOSFET)” असा अर्थ होतो.
• हे संगणक चिप डिझाइन उद्योगातील सर्वात लोकप्रिय तंत्रज्ञानांपैकी एक आहे आणि विविध अनुप्रयोगांमध्ये एकात्मित सर्किट तयार करण्यासाठी व्यापकपणे वापरले जाते.
• काही महत्त्वाच्या फायद्यांमुळे आजच्या संगणक मेमरी, CPU आणि सेल फोन या तंत्रज्ञानाचा वापर करतात.
• हे तंत्रज्ञान P चॅनेल आणि N चॅनेल दोन्ही सेमीकंडक्टर उपकरणांचा वापर करते.
• आज उपलब्ध असलेल्या सर्वात लोकप्रिय MOSFET तंत्रज्ञानांपैकी एक म्हणजे कॉम्प्लीमेंटरी MOS किंवा CMOS तंत्रज्ञान.
• हे मायक्रोप्रोसेसर, मायक्रोकंट्रोलर चिप्स, RAM, ROM, EEPROM सारख्या मेमरी आणि अनुप्रयोग-विशिष्ट एकात्मित सर्किट (ASICs) साठी प्रमुख सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान आहे.

CMOS लॉजिक गेट्सचे फायदे:​

1. अतिशय मोठी फॅन-आउट क्षमता (>50).
2. सर्व गेट्समधील सर्वात कमी पॉवर डिस्पेर्शन (काही nW).
3. खूप उच्च नॉइज-इम्युनिटी आणि नॉइज-मार्जिन (सामान्यतः, VDD/2).
4. NMOS पेक्षा कमी प्रोपेगेशन विलंब.
5. NMOS पेक्षा जास्त वेग. सध्या, 4 GHz (किंवा त्यापेक्षा जास्त) वर काम करणारे संगणक चिप्स खुले बाजारपेठेत उपलब्ध आहेत.
6. मोठा लॉजिक स्विंग (=VDD).
7. केवळ एकच पॉवर पुरवठा (+ VDD) आवश्यक आहे.
8. TTL गेट्सशी थेट सुसंगत.
9. तापमान स्थिरता उत्कृष्ट आहे.
10. कमी-व्होल्टेज (1.5 V) चिप्स आता उपलब्ध आहेत.

CMOS लॉजिक गेट्सचे तोटे:

1. अतिरिक्त प्रक्रिया पायऱ्यांमुळे वाढलेला खर्च. परंतु, हे सुधारले जात आहे.
2. NMOS पेक्षा कमी पॅकिंग घनता. पास-ट्रान्झिस्टर लॉजिक स्ट्रक्चर वापरून, NMOS गेटच्या तुलनेत किंवा त्यापेक्षा जास्त पॅकिंग घनता शक्य आहे.
3. लीड्स शॉर्ट ठेवून MOS चिप्सला स्थिर चार्जेस मिळण्यापासून संरक्षण करणे आवश्यक आहे. लीड्समध्ये मिळालेले स्थिर चार्जेस चिप नष्ट करतील. सध्या ही समस्या अंतर्निर्मित संरक्षणात्मक उपकरणे किंवा सर्किट वापरून सुधारली गेली आहे.
4. CMOS लॉजिक कुटुंबाचा मुख्य तोटा म्हणजे त्यांचा ऑपरेशनचा कमी वेग.
5. CMOS कुटुंबासाठी प्रोपेगेशन विलंब वेळ सुमारे 50ns असल्याचे आढळले आहे तर TTL लॉजिक कुटुंबासाठी तो सुमारे 4 ते 12 ns आहे.

• N-चॅनेल डिव्हाइसच्या बाबतीत वाहक असलेल्या इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता छिद्रांपेक्षा जास्त असते, जे P-चॅनेल डिव्हाइसमधील वाहक असतात.
• अशा प्रकारे N-चॅनेल डिव्हाइस P-चॅनेल डिव्हाइसपेक्षा वेगवान असते.
• N-चॅनेल ट्रान्झिस्टरमध्ये समान डाय क्षेत्रासाठी कमी ऑन-रेझिस्टन्स आणि गेट कपॅसिटन्स आहे.

मेटल ऑक्साइड सिलिकॉन फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET)

• हे एक विद्युदाब-नियंत्रित तीन-टर्मिनल उपकरण आहे जे स्विचिंग आणि प्रवर्धन हेतूंसाठी वापरले जाते.
• टर्मिनल्स ड्रेन, गेट आणि स्त्रोत आहेत.
• MOSFET दोन वर्गांचे आहेत: एन्हांसमेंट मोड आणि डिप्लेशन मोड. प्रत्येक वर्ग एन-चॅनेल किंवा P-चॅनेल म्हणून उपलब्ध आहे.
• गेटवरील विद्युदाब MOSFET चे ऑपरेशन नियंत्रित करते. या प्रकरणात, गेटवर धनात्मक आणि ऋणात्मक दोन्ही व्होल्टेज लागू केले जाऊ शकतात कारण ते चॅनेलमधून इन्सुलेटेड आहे.
• ऋणात्मक गेट बायस विद्युदाबासह, ते कमी MOSFET म्हणून कार्य करते तर धनात्मक गेट बायस विद्युदाबासह, ते एन्हांसमेंट MOSFET म्हणून कार्य करते.
• MOSFET मध्ये सामान्य ड्रेन संरचनेमध्ये उच्च इनपुट प्रतिरोध आणि कमी आउटपुट प्रतिरोध आहे.

MOSFET:

MOSFET एक विद्युत दाब -नियंत्रित क्षेत्र प्रभाव प्रेषरोधक आहे.

यात "धातू ऑक्साइड" गेट इलेक्ट्रोड आहे जो मुख्य अर्धवाहक N-चॅनेल किंवा P-चॅनेलमधून सामान्यतः सिलिकॉन डायऑक्साइड (SiO2 ), ज्याला सामान्यतः काच म्हणून ओळखले जाते, निरोधित सामग्रीच्या अत्यंत पातळ थराने विद्युतीयरित्या निरोधित केले जाते.

निरोधित SiO2 स्तर उच्च इनपुट प्रतिबाधा प्रदान करते.

MOSFET दोन प्रकारचे आहे:

संकुचित प्रकार (D-MOSFET):

• स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान भौतिक स्तराची उपस्थिती.
• आपण स्त्रोत आणि गेट दरम्यान धनात्मक आणि ऋणात्मक दोन्ही लागू करू शकतो.

वर्धन प्रकार (e-MOSFET):

• स्त्रोत आणि निचरा दरम्यान भौतिक स्तराची अनुपस्थिती
• गेट आणि स्त्रोत यांच्यामध्ये फक्त एक प्रकारचे ध्रुवीय विद्युत दाब जसे की भौतिक स्तर तयार झाला पाहिजे.

MOSFET चे चिन्ह प्रतिनिधित्व:

CMOS:

• CMOS म्हणजे “कॉम्प्लीमेंटरी मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर (कॉम्प्लीमेंटरी MOSFET)” असा अर्थ होतो.
• हे संगणक चिप डिझाइन उद्योगातील सर्वात लोकप्रिय तंत्रज्ञानांपैकी एक आहे आणि विविध अनुप्रयोगांमध्ये एकात्मित सर्किट तयार करण्यासाठी व्यापकपणे वापरले जाते.
• काही महत्त्वाच्या फायद्यांमुळे आजच्या संगणक मेमरी, CPU आणि सेल फोन या तंत्रज्ञानाचा वापर करतात.
• हे तंत्रज्ञान P चॅनेल आणि N चॅनेल दोन्ही सेमीकंडक्टर उपकरणांचा वापर करते.
• आज उपलब्ध असलेल्या सर्वात लोकप्रिय MOSFET तंत्रज्ञानांपैकी एक म्हणजे कॉम्प्लीमेंटरी MOS किंवा CMOS तंत्रज्ञान.
• हे मायक्रोप्रोसेसर, मायक्रोकंट्रोलर चिप्स, RAM, ROM, EEPROM सारख्या मेमरी आणि अनुप्रयोग-विशिष्ट एकात्मित सर्किट (ASICs) साठी प्रमुख सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान आहे.

CMOS लॉजिक गेट्सचे फायदे:​

1. अतिशय मोठी फॅन-आउट क्षमता (>50).
2. सर्व गेट्समधील सर्वात कमी पॉवर डिस्पेर्शन (काही nW).
3. खूप उच्च नॉइज-इम्युनिटी आणि नॉइज-मार्जिन (सामान्यतः, VDD/2).
4. NMOS पेक्षा कमी प्रोपेगेशन विलंब.
5. NMOS पेक्षा जास्त वेग. सध्या, 4 GHz (किंवा त्यापेक्षा जास्त) वर काम करणारे संगणक चिप्स खुले बाजारपेठेत उपलब्ध आहेत.
6. मोठा लॉजिक स्विंग (=VDD).
7. केवळ एकच पॉवर पुरवठा (+ VDD) आवश्यक आहे.
8. TTL गेट्सशी थेट सुसंगत.
9. तापमान स्थिरता उत्कृष्ट आहे.
10. कमी-व्होल्टेज (1.5 V) चिप्स आता उपलब्ध आहेत.

CMOS लॉजिक गेट्सचे तोटे:

1. अतिरिक्त प्रक्रिया पायऱ्यांमुळे वाढलेला खर्च. परंतु, हे सुधारले जात आहे.
2. NMOS पेक्षा कमी पॅकिंग घनता. पास-ट्रान्झिस्टर लॉजिक स्ट्रक्चर वापरून, NMOS गेटच्या तुलनेत किंवा त्यापेक्षा जास्त पॅकिंग घनता शक्य आहे.
3. लीड्स शॉर्ट ठेवून MOS चिप्सला स्थिर चार्जेस मिळण्यापासून संरक्षण करणे आवश्यक आहे. लीड्समध्ये मिळालेले स्थिर चार्जेस चिप नष्ट करतील. सध्या ही समस्या अंतर्निर्मित संरक्षणात्मक उपकरणे किंवा सर्किट वापरून सुधारली गेली आहे.
4. CMOS लॉजिक कुटुंबाचा मुख्य तोटा म्हणजे त्यांचा ऑपरेशनचा कमी वेग.
5. CMOS कुटुंबासाठी प्रोपेगेशन विलंब वेळ सुमारे 50ns असल्याचे आढळले आहे तर TTL लॉजिक कुटुंबासाठी तो सुमारे 4 ते 12 ns आहे.